Деградация солнечных элементов на базе пористого кремния

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

В данной работе производился сравнительный анализ работы солнечных элементов, основанных на пористом кремнии, по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) и падению отдаваемой мощности. Для расчетов использовались телеметрические данные, получаемые с МКА «АИСТ-2Д» в период с июля 2016 года по март 2019. Приведены графики ВАХ 14 элементов, показан постепенный процесс деградации в естественных условиях космоса. Элементы изготовлены по различным технологическим маршрутам, с различной обработкой рабочей поверхности (полированная, текстурированная, карбидизированная), с двумя видами просветляющих покрытий: ZnS и DyF3. По итогу эксперимента, лучше всего себя показала полированная поверхность и DyF3, пористый слой значительно увеличивает срок службы солнечного элемента.

Полный текст

Характеристики фотоэлементов новой конструкции необходимы для понимания влияния воздействующих факторов космического пространства. Радиационная стойкость является принципиальным свойством наноструктурированных материалов. Под данным термином обычно понимают неизменность параметров материала или прибора при облучении определенным ионизирующим излучением. Препятствием для структурных нарушений в материале являются следующие факторы, а именно нанообъекты, которые медленно накапливают вводимые дефекты. Этим характеризуются нанопористые материалы. Так специалистами Самарского университета была выдвинута идея о применения пористого кремния в состав солнечных элементов как материала, устойчивого к механическим и климатическим воздействиям на этапе выведения и орбитального полёта малого космического аппарата АИСТ-2Д. Для проведения исследования было изготовлено 14 шт. экспериментальных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с различными покрытиями на рабочей поверхности и различной структурой. Все образцы солнечных элементов были изготовлены в процессе технологического цикла, который проходят кремниевые ФЭП традиционной конструкции. Основные операции цикла, кроме операций наноструктурирования, карбидизации и нанесения просветляющих покрытий, а именно ???????????? и ????????????3, проводились на стандартном технологическом оборудовании. Для измерения температуры фотоэлементов были использованы датчики pt100 (100 Ом) – DIN EN 60751, установленные непосредственно под панелью с исследуемыми ФЭП.

Условия и методы исследования

С 2016 года ведётся анализ данных телеметрии, полученных с МКА «Аиста-2Д». Для ознакомления с образцами, которые были установлены на экспериментальную модель (рис. 1), ниже представлена табл. 1.

Данные приходили раз в несколько месяцев, в каждый пакет входили измерения с периодом 5 или 10 мин. При проведении расчётов выбирались значения при схожих условиях: время суток (освещённость), температура панели. В процессе работы была разработана программа для подсчёта параметров деградации (fil factor, мощность, КПД, Uxx, Iкз и др.).

 

Таблица 1

Описание солнечных элементов, вошедших в состав экспериментальной панели, установленной на МКА «АИСТ-2Д»

Номер на ЭБФ

Описание

1

Полированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

2

Полированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – DyF3

3

Полированный кремний, просветляющее покрытие – ZnS (типовая технология)

4

Полированный кремний, просветляющее покрытие – DyF3 (типовая технология)

5

Текстурированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

6

Полированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

7

Текстурированный кремний, просветляющее покрытие – ZnS

8

Текстурированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

9

Шлифованный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

10

Полированный кремний с пористым слоем, двухслойное просветляющее покрытие – ZnS + DyF3

11

Шлифованный кремний, просветляющее покрытие – ZnS

12

Шлифованный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

13

Карбидизированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – ZnS

14

Карбидизированный кремний с пористым слоем, просветляющее покрытие – DyF3

 

Рис. 1. Вид экспериментального образца БФ на МКА «АИСТ-2Д»

 

Результаты и их обсуждение

По командам, выдаваемым с наземного комплекса управления, с каждой пластины во время проведения эксперимента были определены телеметрические данные: температура, напряжение нагрузки и сила тока. По данным построены вольт-амперные характеристики каждой из 14-ти экспериментальных пластин для различных температур и рассчитаны их фотоэлектрические параметры. Проведённые исследования показали, что использование разработанных методик изготовления многослойных структур с пористым слоем позволяет создать фоточувствительные структуры с достаточно высокими фотоэлектрическими параметрами.

Так по результатам исследований были выбраны элементы с наилучшими эксплуатационными характеристиками. Фотоэлектри-ческие преобразователи с пористым слоем, в которых используются соединения редкоземельных элементов показали высокую устойчивость в условиях открытого космоса. Для сравнения были выбраны элементы с использованием полупроводникового соединения сульфида цинка, где разница состояла в том, что в одном случае использовался пористый слой, а в другом нет. Ниже представлены графики вольт-амперных (рис. 2) и вольт-ваттных (рис. 3) характеристик.

 

Рис. 2. Вольт-амперные характеристики фотоэлектрических преобразователей: А– № 1, Б – № 3

 

Рис. 3. Вольт-ваттные характеристики фотоэлектрических преобразователей№ 1 (слева) и № 3 (справа)

 

Рис. 4. Вольт-амперные характеристики фотоэлектрических преобразователей: А – № 2, Б – № 4

 

Рис. 5. Вольт-ваттные характеристики фотоэлектрических преобразователей № 2 (слева) и № 4 (справа)

 

Исследования показали, что для устойчивости солнечных элементов в экстремальных условиях мало нанесения просветляющего покрытия, также необходимо получение пористого слоя. Поскольку при электрохимическом травления полированная подложка приобретает эффект «чёрного кремния», что тем самым увеличивает площадь поглощения света, но и также сохраняет устойчивость при радиационном излучении. Это подтверждается данными, полученными с наземного центра управления.

Анализ характеристик образцов, которые выполнены с использованием диэлектрического материала фторида диспрозия (ФЭП № 2 и №4) показывает, что также характеристики зависят от наличия пористого слоя, который необходим для устойчивости характеристик (рис. 4 и 5). Можно сделать выводы, что пористый слой значительно влияет на радиационную стойкость образца, и просветляющее покрытие из DyF3 предпочтительнее, так как не имеет полупроводниковых свойств, как ZnS.

 

Рис. 6. Вольт-амперные (А) и вольт-ваттные (Б) характеристики фотоэлектрического преобразователя № 10

 

Рис. 7. Динамика мощности (в мВт) для 1 и 3 образца с 2016 по 2019 гг.

 

Рис. 8. Динамика мощности (в мВт) для 2 и 4 образца с 2016 по 2019 гг.

 

Анализ характеристик солнечного элемента с пористым слоем и двойным покрытием (ZnS+DyF3) (рис. 6) показывает, что на протяжении трёх лет сохраняется медленная деградация элемента порядка 5 % в год. Также были построены диаграммы показателей максимальной мощности для исследуемых образцов.

Как следует из рис. 7 и 8, в первые два года образцы № 1–4 деградируют сильнее всего. Дальше происходит постепенная потеря своих характеристик.

Заключение

Пористый слой благодаря своей структуре мешает накоплению дефектов на поверхности кремния и этим продлевает срок службы солнечного элемента.  Покрытие DyF3 показало себя лучше, чем ZnS. Полированная и текстурированная поверхность показала хорошую радиационную стойкость.

×

Об авторах

Алексей Сергеевич Ерофеев

Самарский университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: a.yerofyeyev@mail.ru

студент III курса

Россия, 443086, Россия, г. Самара, Московское шоссе, 34

Иван Александрович Шишкин

Самарский университет

Email: shishkinivan9@gmail.com

магистрант физического факультета

Россия, 443086, Россия, г. Самара, Московское шоссе, 34

Наталья Виленовна Латухина

Самарский университет

Email: natalat@yandex.ru

доцент кафедры физики твёрдого тела и неравновесных систем Самарского университета

Россия, 443086, Россия, г. Самара, Московское шоссе, 34

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Вид экспериментального образца БФ на МКА «АИСТ-2Д»

Скачать (35KB)
3. Рис. 2. Вольт-амперные характеристики фотоэлектрических преобразователей: А– № 1, Б – № 3

Скачать (50KB)
4. Рис. 3. Вольт-ваттные характеристики фотоэлектрических преобразователей№ 1 (слева) и № 3 (справа)

Скачать (35KB)
5. Рис. 4. Вольт-амперные характеристики фотоэлектрических преобразователей: А – № 2, Б – № 4

Скачать (49KB)
6. Рис. 5. Вольт-ваттные характеристики фотоэлектрических преобразователей № 2 (слева) и № 4 (справа)

Скачать (34KB)
7. Рис. 6. Вольт-амперные (А) и вольт-ваттные (Б) характеристики фотоэлектрического преобразователя № 10

Скачать (23KB)
8. Рис. 7. Динамика мощности (в мВт) для 1 и 3 образца с 2016 по 2019 гг.

Скачать (33KB)
9. Рис. 8. Динамика мощности (в мВт) для 2 и 4 образца с 2016 по 2019 гг.

Скачать (23KB)

© Вестник молодых учёных и специалистов Самарского университета, 2020

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.

Вестник молодых учёных и специалистов Самарского университета

Сетевое издание, журнал

ISSN 2782-2982 (Online)

Учредитель и издатель сетевого издания, журнала: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева» (Самарский университет), Московское шоссе, 34, 443086,  Самарская область, г. Самара, Российская Федерация.

Сетевое издание зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций, регистрационный номер ЭЛ № ФС 77-86495 от 29.12.2023

Выписка из реестра зарегистрированных СМИ

Устав сетевого издания

Главный редактор: Андрей Брониславович Прокофьев, доктор технических наук, доцент, заведующий кафедрой теории двигателей летательных аппаратов

2 выпуска в год

0+. Цена свободная. 

Адрес редакции: 443011, Самарская область, г. Самара, ул. Академика Павлова, д. 1, Совет молодых учёных и специалистов, каб. 513 корпуса 22 а.

Адрес для корреспонденции: 443086, Самарская область, г. Самара, Московское шоссе, 34, Самарский национальный исследовательский университет (Самарский университет), 22а корпус, каб. 513.

Тел: (846) 334-54-43

e-mail: smuissu@ssau.ru

Доменное имя: VMUIS.RU (справка о принадлежности домена)электронный адрес в сети Интернет:  https://vmuis.ru/smus.

Прежнее свидетельство – периодическое печатное издание, журнал «Вестник молодых учёных и специалистов Самарского университета», зарегистрировано Управлением Федеральной службы по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций по Самарской области, регистрационный номер серии ПИ № ТУ63-00921 от 27 декабря 2017 г.

© Самарский университет

 

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах